Semiconductor Discrete Device

概述

      半導(dao)體分(fen)立器(qi)件是組成(cheng)(cheng)集成(cheng)(cheng)電路的(de)基(ji)(ji)礎(chu)，包(bao)含大(da)量的(de)雙(shuang)端口或(huo)三端口器(qi)件，如二極管，晶體管，場(chang)效應管等。直(zhi)流(liu)I-V測試是表征微電子器(qi)件工藝及材料特性的(de)基(ji)(ji)礎(chu)，通(tong)常使用I-V特性分(fen)析(xi)或(huo)I-V曲(qu)線來決定器(qi)件的(de)基(ji)(ji)本(ben)參數。

      分立器件I-V特(te)性測(ce)試的(de)(de)主(zhu)要目的(de)(de)是通過實驗幫助工程師提(ti)取半導體器件的(de)(de)基(ji)本I-V特(te)性參數，并(bing)在(zai)整個工藝流程結束后評估(gu)器件的(de)(de)優劣。在(zai)半導體制程的(de)(de)多(duo)個階(jie)(jie)段(duan)都有應(ying)用(yong)，如金屬互連(lian)，鍍層階(jie)(jie)段(duan)，芯(xin)片(pian)封裝后的(de)(de)測(ce)試等。

      溪谷(gu)科(ke)技開發的(de)半(ban)導體分(fen)立器(qi)件I-V特(te)性測試(shi)方案，由一臺或兩臺源精密源測量(liang)單元(SMU)、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端(duan)口(kou)MOSFET器(qi)件為例，配套以下設備：

•兩臺Keithley 2450 精(jing)密源測量單(dan)元(yuan)

•四根三同軸電纜(lan)

•夾具或帶有三同軸接口的探針臺

•三(san)同軸T型頭

方案特點

豐富的(de)內置(zhi)元器(qi)(qi)件(jian)庫，可(ke)以(yi)根據(ju)測試要求選(xuan)擇所需(xu)要的(de)待測件(jian)類型(xing)測試和計(ji)算過程由(you)軟件(jian)自動(dong)執(zhi)行，能(neng)夠顯(xian)示數(shu)據(ju)和曲線， 節省了大量的(de)時間精(jing)準穩(wen)定的(de)探(tan)針(zhen)臺(tai)，針(zhen)座分辨率可(ke)高達0.7um，顯(xian)微鏡(jing)放大倍數(shu)最高可(ke)達x195倍最高支(zhi)持同時操作(zuo)兩(liang)臺(tai)吉時利源表，可(ke)以(yi)完成三端口器(qi)(qi)件(jian)測試。

測試材料

二(er)極管特(te)性的測(ce)量(liang)與分析

雙極型晶(jing)體(ti)管(guan)BJT特性的測量(liang)與分(fen)析

MOSFET場效應晶體管特(te)性的測量與分析

MOS 器件的參數(shu)提取