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SOI 硅片:絕緣體上硅技術
Okmetic 是最(zui)早將絕緣(yuan)體(ti)上硅(gui)(gui)技術(shu)和 SOI 硅(gui)(gui)片(pian)引入 MEMS 行(xing)業的硅(gui)(gui)片(pian)供應商(shang)之一(yi),目前公司已經量產 SOI 硅(gui)(gui)片(pian)超過20年。SOI 硅(gui)(gui)片(pian)是在絕緣(yuan)氧化物(wu)上有一(yi)層薄硅(gui)(gui)膜的硅(gui)(gui)片(pian),其生產需要非(fei)常高水準的專業技術(shu)。SOI 硅(gui)(gui)片(pian)有益于(yu)制造最(zui)先進(jin)的 MEMS、傳感(gan)器、功(gong)率和射頻設備(bei)(bei)。這些設備(bei)(bei)器件被用(yong)于(yu)汽車和醫(yi)療保健應用(yong)、智能(neng)腕帶(dai)、智能(neng)手機和平(ping)板電腦(nao)等終端(duan)。同(tong)時,利用(yong)傳感(gan)器提(ti)供的數(shu)據,器件也能(neng)夠(gou)被用(yong)于(yu)物(wu)聯網(wang)相關的應用(yong)設備(bei)(bei),實現設備(bei)(bei)間的通信。
SOI 硅片有益于制造最先進的 MEMS、傳感器、功率和射頻設備。
Okmetic 的(de) SOI 硅片是(shi)(shi)通過鍵合技(ji)術制造的(de)——將兩片硅片鍵合在(zai)一(yi)起并在(zai)其間留下絕緣(yuan)氧(yang)化(hua)層。傳感元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)和 IC 器(qi)件(jian)(jian)通常構建在(zai)頂層器(qi)件(jian)(jian)層上(shang)。中間的(de)埋(mai)氧(yang)層是(shi)(shi)極(ji)好的(de)電絕緣(yuan)層,也是(shi)(shi)有效的(de)刻(ke)蝕(shi)停止層,同時也可以作為(wei)犧牲層。底層起支(zhi)撐作用,但也可以用于(yu)密封(feng)結構或作為(wei)傳感元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)或設(she)備的(de)一(yi)部分。
SOI 硅片全系列
Okmetic 擁有(you) SOI 硅(gui)(gui)片(pian)制造的(de)(de)(de)(de)自主可控能力,將自主研(yan)發成果運(yun)用(yong)到企業生產中,有(you)能力把控每(mei)個(ge)關鍵的(de)(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片(pian)參數,確保 SOI 硅(gui)(gui)片(pian)的(de)(de)(de)(de)最高(gao)品質。我(wo)們擁有(you)市(shi)場上(shang)最完(wan)整的(de)(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片(pian)產品組(zu)合,支(zhi)持(chi)客戶的(de)(de)(de)(de)各(ge)種(zhong)選擇,譬(pi)如最佳的(de)(de)(de)(de)導電性和不同的(de)(de)(de)(de)晶體轉(zhuan)向(xiang)可以(yi)確保更好地利用(yong)硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)各(ge)向(xiang)異(yi)性特(te)性。我(wo)們的(de)(de)(de)(de)銷售和技(ji)術支(zhi)持(chi)很樂意幫(bang)助您(nin)(nin)找到適(shi)合您(nin)(nin)設備(bei)和工藝需求的(de)(de)(de)(de)完(wan)美(mei)硅(gui)(gui)基解決方案。
Okmetic 的 SOI 硅片產線包含以下產品:
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SOI 硅片:絕緣體上硅技術
SOI 硅片:絕緣體上硅技術
常規 SOI 硅片的規格
晶體生長方式 |
Cz, MCz, A-MCz® |
硅片直徑 |
150 mm, 200 mm |
晶向 |
<100>, <110>,<111> |
N型摻雜劑 |
磷 |
P型摻雜劑 |
硼 |
電阻率 |
從 <0.001到 >7000 歐姆-厘米 |
器件層厚度 |
1 微米 到 > 200微米 |
埋氧層厚度 |
0.3微米到4微米,通常在0.5微米到2微米之間 |
底層硅片厚度 |
300微米到950微米,200毫米硅片的底層硅片厚度通常為725微米,150毫米硅片的底層硅片厚度通常為380微米 |
背面 |
拋光或刻蝕 |
臺階區域 |
標準或無臺階型(適用于200毫米的 BSOI 和 E-SOI®硅片) |