概述

      半導體分立(li)器(qi)件(jian)是組成集成電路的基礎，包含(han)大(da)量的雙端(duan)口或三端(duan)口器(qi)件(jian)，如二極管(guan)(guan)，晶體管(guan)(guan)，場效應管(guan)(guan)等。直流I-V測試是表征微電子(zi)器(qi)件(jian)工藝及材料(liao)特性的基礎，通(tong)常使用(yong)I-V特性分析或I-V曲線來決定(ding)器(qi)件(jian)的基本參數。

      分立器件(jian)I-V特性測(ce)試的(de)主(zhu)要目的(de)是通過實驗幫助工程師提取半導體(ti)器件(jian)的(de)基本I-V特性參數，并在(zai)整個工藝流程結束后評估器件(jian)的(de)優(you)劣。在(zai)半導體(ti)制程的(de)多(duo)個階(jie)段(duan)都(dou)有應用，如金屬互連，鍍(du)層階(jie)段(duan)，芯(xin)片封裝后的(de)測(ce)試等(deng)。

      英鉑(bo)科學儀器的半導(dao)體分立器件(jian)I-V特性測試方案，由(you)一臺(tai)或兩臺(tai)源(yuan)精(jing)密源(yuan)測量單(dan)元(SMU)、夾具或探(tan)針臺(tai)、上位機軟件(jian)構成(cheng)。以(yi)三端口(kou)MOSFET器件(jian)為例，配套以(yi)下設備(bei)：

•兩臺Keithley 2450 精密源測量單元

•四(si)根(gen)三(san)同軸(zhou)電纜

•夾具或帶有三同軸接(jie)口的探針臺(tai)

•三(san)同軸(zhou)T型頭(tou)

方案特點

豐富的(de)內(nei)置元器件庫，可(ke)以根據測(ce)(ce)試(shi)要(yao)求選擇所需要(yao)的(de)待測(ce)(ce)件類(lei)型測(ce)(ce)試(shi)和(he)計算(suan)過(guo)程由軟件自動執行，能夠(gou)顯示數(shu)據和(he)曲線(xian)， 節省了大量的(de)時間精準穩(wen)定(ding)的(de)探針(zhen)臺(tai)，針(zhen)座分辨(bian)率可(ke)高達0.7um，顯微(wei)鏡(jing)放大倍(bei)數(shu)可(ke)高達x195倍(bei)，支持同時操作兩臺(tai)吉時利源表，可(ke)以完成(cheng)三端口器件測(ce)(ce)試(shi)。

測試材料

二極管特性的測量與分析

雙極型晶體管BJT特性(xing)的測量(liang)與分析

MOSFET場(chang)效應晶體管特性的(de)測量與分析

MOS 器件的參數(shu)提取