產品測試功能
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HCE-5000 手動便攜式 ESD測試機
測試能力:
1、支持HBM及MM的(de)Package Level測試;
2、放(fang)電電壓(ya):HBM:8KV MM:4KV;
3、可自制夾具,支持(chi)多種封裝測試
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Keithley 4200A-SCS 半導體參數分(fen)析儀
測試能力
1、200V 1A IV 特性測(ce)試(shi)(shi),適用(yong)于二極(ji)管(guan)(guan) Diode,電阻Resistor,三極(ji)管(guan)(guan) BJT, MOSFET 等測(ce)試(shi)(shi)
2、10KHz to 10MHz CV 測試
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Keysight B1505A 功(gong)率器(qi)件測試分析儀
測試能力
1、3KV 20A(pulse)IV 特(te)性測(ce)試,適用(yong)于低功率以及高(gao)功率二極(ji)管 Diode, 三極(ji)管 BJT,電阻 Resisrot
2、金屬氧化物半導體場效應晶體管(guan) MOSFET,SiC & GaN MOSFET,Diode 測(ce)試(shi)
3、CV 測試:10KHz—5MHz
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Keysight E5063A 矢量網絡分析儀
測試能力
1、100KHz—18GHz 雙端口 S 參(can)數測試(shi)(shi),Z 參(can)數以及 Y 參(can)數測試(shi)(shi)
2、時域分(fen)析(xi),特性阻(zu)抗以(yi)及(ji)差分(fen)阻(zu)抗測(ce)試
3、無線(xian)充電效能測(ce)試(shi),包(bao)括有源低功率放(fang)大器(qi),濾(lv)波器(qi), 天線(xian),衰(shuai)減器(qi),射頻開關等測(ce)試(shi)
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MPI TS2000-IFE 全自動測試 8 寸探針臺
測試能力
1、8 寸及(ji)以下晶圓(yuan)級(ji) 67GHz 高(gao)頻測(ce)試
2、低漏電器件(jian)材(cai)料(liao)表(biao)征(zheng)測試,光電器件(jian)表(biao)征(zheng)
3、全自動測試(shi):IV 測試(shi),雙端(duan)口RF 器件測試(shi)
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MPI TS150 6 寸手動探針臺
測試能力
1、6 寸及以下晶圓級 67GHz 高頻,低漏電器(qi)件材料測試
2、光電器件表征
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MPI TS3000 半自動測試 12寸探針臺
測試能力
1、12寸及以下(xia)晶圓(yuan)級低漏電器件材料表征測試,光電器件表征
2、-40至200℃高(gao)低溫IV測試
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FS-Pro 半導體參數測試系(xi)統
測試能力
1、0.1fA靈敏度(du),30fA精(jing)度(du),直流1A,脈沖3A,脈寬50us,電壓200V
2、適用于IV測試
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LPS-50液氮連續流低溫(wen)探針臺
測試能力
1、低溫真空探針臺可以對器件進行非破(po)壞(huai)性的測試(shi),器件最大尺寸可達到51mm(2inch)
2、可以對材料或器(qi)件的(de)電(dian)學特性測(ce)(ce)量、光電(dian)特性測(ce)(ce)量、參數(shu)測(ce)(ce)量、high Z測(ce)(ce)量、DC測(ce)(ce)量等提(ti)供一個測(ce)(ce)試平臺(tai)
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低溫磁場探針臺
測試能力
1、可以對器(qi)件進行非破壞性(xing)測試,器(qi)件的尺寸可達到25mm(1inch)
2、可(ke)以(yi)對材料或器件電學特性測(ce)量(liang)(liang)、光電特性測(ce)量(liang)(liang)、參數(shu)測(ce)量(liang)(liang)和磁特性測(ce)試測(ce)量(liang)(liang)提供測(ce)試平臺(tai)