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RFSi?硅片:射頻濾波器的高阻片
Okmetic 的(de) RFSi®高阻(zu)片是制(zhi)造射頻濾波器和設(she)備(bei)的(de)最佳硅基襯底。其 RFSi®高阻(zu)片提(ti)高了射頻設(she)備(bei)的(de)性能(neng)和使用(yong)成本,并(bing)可以實現更復(fu)雜的(de)設(she)計。
Okmetic 是(shi)射頻濾波(bo)器(qi)市場(chang)上先(xian)進的(de)(de)硅(gui)基襯底供應商,多年(nian)來公司一直(zhi)專注于(yu)射頻濾波(bo)器(qi)硅(gui)晶圓(yuan)的(de)(de)解決(jue)方案。Okmetic 已為射頻濾波(bo)器(qi)市場(chang)交(jiao)付了超過(guo)200萬片硅(gui)晶圓(yuan),2021年(nian)相比2020年(nian)實(shi)現了交(jiao)付量(liang)的(de)(de)翻(fan)翻(fan)。Okmetic 的(de)(de) RFSi®高阻片是(shi)體聲波(bo)(BAW)濾波(bo)器(qi)、薄膜(mo)聲表(biao)面(mian)波(bo)(TF-SAW)濾波(bo)器(qi)、IPD 設(she)(she)備(bei)、功率放大器(qi)、RFIC 應用和(he)硅(gui)中(zhong)介層等(deng)的(de)(de)最(zui)佳硅(gui)基襯底。這些(xie)濾波(bo)器(qi)和(he)設(she)(she)備(bei)用于(yu)智能手機(ji)和(he)通(tong)信(xin)設(she)(she)備(bei),可實(shi)現 5G 和(he) 4G 技術中(zhong)更(geng)快的(de)(de)數(shu)據傳輸速度和(he)更(geng)大的(de)(de)容量(liang)。
RFSi®高阻片是射頻濾波器和設備的最佳硅基襯底,實現了智能手機和通信設備中更快的數據傳輸速度。
Okmetic 的(de)(de)(de) RFSi®高阻片(pian)(pian)產(chan)品組合(he)提供(gong)了一系(xi)列特種硅片(pian)(pian),將高達10000歐(ou)姆-厘(li)米的(de)(de)(de)體電阻率和先進(jin)的(de)(de)(de)表面工(gong)程相結合(he)。此類(lei)硅片(pian)(pian)的(de)(de)(de)長晶(jing)方式(shi)是 A-MCz®(Okmetic 已注冊(ce)該商標(biao)),其制(zhi)備(bei)方法(fa)包括(kuo)富陷阱層和先進(jin)的(de)(de)(de)平(ping)面化(hua)技術。Okmetic 的(de)(de)(de) RFSi®高阻片(pian)(pian)擁(yong)有非常高且(qie)穩定的(de)(de)(de)電阻率,可實現射頻濾波器(qi)和設(she)備(bei)的(de)(de)(de)卓越性能、更(geng)低廉的(de)(de)(de)使用成本以及(ji)更(geng)復雜的(de)(de)(de)設(she)備(bei)設(she)計。
RFSi®高阻片產品組合
Okmetic 擁有豐富的(de)(de)(de)RFSi®高(gao)阻(zu)片產品(pin)(pin)組(zu)(zu)合(he),由體電(dian)(dian)阻(zu)率高(gao)達10000歐姆-里面以(yi)(yi)上的(de)(de)(de)特種硅片組(zu)(zu)成。我們的(de)(de)(de)硅片產品(pin)(pin)可以(yi)(yi)根據產品(pin)(pin)和封裝需求為您(nin)定(ding)制所需的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu)率、晶向、含(han)氧量以(yi)(yi)及(ji)厚度等。Okmetic 為您(nin)提供從(cong)380到1150微米(mi)的(de)(de)(de)各(ge)種硅片厚度。我們的(de)(de)(de)射(she)頻濾波器客(ke)戶發現(xian)輕薄的(de)(de)(de)硅片易于封裝設計;而在像氮化鎵外延層這(zhe)類(lei)混合(he)金屬(shu)晶格中,較厚的(de)(de)(de)硅片能更好地消減極端應力。我們的(de)(de)(de)銷售(shou)和技術支(zhi)持將很樂意為您(nin)服務,為您(nin)定(ding)制符(fu)合(he)需求的(de)(de)(de)最佳解決方(fang)案。
Okmetic 的 RFSi®高阻片包含以下產品:
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RFSi®硅片的優點
· 插入損耗小且可被記錄;
· 高 Q 值;
· 二次諧波特性隨工作(zuo)溫度變化呈線性變化;
· 使用超(chao)平高阻硅片(UF-RFSi®)的薄膜聲(sheng)表面波濾波器(TF-SAW)可擁有更多新穎(ying)的設計選擇;
· 采(cai)用高(gao)阻片特(te)性(xing)結(jie)合到(dao)腔體 SOI 硅(gui)片,實現(xian)懸空的低損耗結(jie)構。
A-MCz®晶體生長方式對比區熔法
· 區(qu)熔(rong)法制備(bei)的(de)單晶(jing)硅電阻率很高(gao),A-MCz®晶(jing)體生長方式(shi)相(xiang)對(dui)更(geng)具成本優勢,特(te)別是制備(bei)200毫米的(de)單晶(jing)硅棒(bang);
· 晶向可使(shi)用 <111>;
· 優化了(le)氧含(han)量范圍以增加客戶工藝中(zhong)的硅片強度,不易滑(hua)落(luo)或(huo)破損;
· 通過構建富陷(xian)阱(jing)層,Okmetic 的(de)(de)工程 A-MCz®硅片能(neng)夠更(geng)好地滿足客戶的(de)(de)特定工藝/產品。
RFSi?硅片:射頻濾波器的高阻片
RFSi?硅片:射頻濾波器的高阻片
常規 RFSi®硅片的規格:
晶體生長方式 | MCz, A-MCz® |
硅片直徑 | 150 mm, 200 mm |
晶向 | <100>, <111> |
N 型摻雜劑 | 磷 |
P 型摻雜劑 | 硼 |
電阻率 | 高達 >10000 歐姆-厘米 |
氧含量 | 一般 ≤ 5ppma 或 ≤10ppma(ASTM F121-83),可根據客戶工藝進行優化 |
SSP(背面蝕刻)硅片厚度 | 150毫米硅片:400至1150微米;200毫米硅片:550微米到 >1150微米* *某些條件下可實現其他厚度 |
DSP(拋光背面)硅片厚度 | 150毫米硅片:380至 >1150微米;200毫米硅片:380微米到 >1150微米* *某些條件下可實現其他厚度 |