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單拋片:單面拋光
Okmetic 的(de)單面(mian)拋光片(SSP)是表面(mian) MEMS、封蓋和射頻(pin)、功率器(qi)件的(de)理(li)想襯底。
晶體(ti)生長(chang)技術是(shi) Okmetic 的(de)關鍵技術之一,為(wei)自主和分包的(de)定制(zhi)單(dan)拋片解決方(fang)案奠定了重要基(ji)礎。我(wo)們(men)的(de)目標是(shi)為(wei)客戶(hu)提(ti)供(gong)全(quan)面的(de)晶體(ti)材料,以(yi)及(ji)滿足不同技術需求的(de)硅片產(chan)品。
各種晶體和硅片材料助力不同技術需求的定制解決方案。
我們的(de)(de)(de) 包括射頻濾(lv)波器(qi)的(de)(de)(de)單拋(pao)片(pian)、(滿足(zu)不(bu)同功率器(qi)件的(de)(de)(de)需求(qiu))。在此頁(ye)面我們主(zhu)要為(wei)您介紹滿足(zu)表面 MEMS 和封蓋需求(qiu)的(de)(de)(de)普(pu)通電阻率單拋(pao)片(pian)。許(xu)多 MEMS 器(qi)件(例如壓(ya)力傳(chuan)感器(qi)、加(jia)速度計和陀螺儀)通常(chang)都會使用單拋(pao)片(pian)或雙拋(pao)片(pian)作為(wei)其硅基襯底,不(bu)過出于成(cheng)本效益的(de)(de)(de)考(kao)慮,長期以來 的(de)(de)(de)需求(qiu)一直在增加(jia)。
單拋片(SSP)無與倫比的能力
Okmetic 的(de)單拋(pao)片(SSP)和(he)客戶的(de)工(gong)藝(yi)(yi)受益于我(wo)(wo)們自主的(de)長晶技術。我(wo)(wo)們對潔凈度(du)和(he)質量(liang)有(you)(you)著極高的(de)要求,因此 Okmetic 的(de)150至200毫米的(de)單面拋(pao)光片(SSP)能夠兼(jian)容最嚴苛的(de)工(gong)藝(yi)(yi)生產(chan)線。此外(wai),我(wo)(wo)們的(de) SSP 硅(gui)片具有(you)(you)出(chu)色的(de)厚度(du)和(he)平整度(du)。因為某些特種器件(jian)或(huo)應(ying)用設備需要非常薄/厚的(de)單拋(pao)片作為硅(gui)基襯底,Okmetic 還提(ti)供非標準厚度(du)的(de) SSP 硅(gui)片。譬(pi)如(ru)厚硅(gui)片適用于氮化鎵(GaN)外(wai)延(yan)沉淀。
Okmetic 有多種150至(zhi)200毫米(mi)(mi)的(de) SSP 硅片可供選擇(ze):硅片摻雜劑(ji)包(bao)括砷、磷和(he)硼(peng)。晶(jing)向選擇(ze)為<100>、<110>、<111>或偏向,厚度范(fan)圍從400至(zhi)1150微(wei)米(mi)(mi),電(dian)阻率范(fan)圍從 < 0.001 至(zhi) > 7,000歐姆(mu)-厘米(mi)(mi)。背(bei)面(mian)處理方式為蝕刻、Polyback 或 LTO 背(bei)封層結(jie)構。
單拋片:單面拋光
單拋片:單面拋光
單拋片規格
長晶方式 |
Cz, MCz, A-MCz® |
直徑 |
150 mm, 200 mm |
晶向 |
<100>, <110>,<111>或偏向 |
N 型摻雜劑 |
砷、磷 |
P 型摻雜劑 |
硼 |
電阻率 |
從 < 0.001 至 > 7,000歐姆-厘米,工程超高阻片可達到10000歐姆-厘米的電阻率 |
厚度 |
150毫米硅片的厚度為400 – 1150微米;200毫米硅片的厚度為550 – 1150微米 |
背面 |
蝕刻、Polyback 、LTO 背封層結構 |