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功率器件用襯底硅片
Okmetic 的(de)(de)(de)單拋(SSP)、雙(shuang)拋(DSP)和 SOI 硅(gui)(gui)片(pian)針對高(gao)性(xing)能功(gong)率(lv)半導體的(de)(de)(de)需求進行了優(you)化(hua),包括高(gao)摻低(di)(di)電(dian)阻率(lv)硅(gui)(gui)片(pian)和中等電(dian)阻率(lv)硅(gui)(gui)片(pian),后者具有嚴(yan)格的(de)(de)(de)電(dian)阻率(lv)控制(zhi)、低(di)(di)且(qie)受控的(de)(de)(de)氧含量水(shui)平(ping)以(yi)及零 BMD。A-MCz®的(de)(de)(de)長晶方(fang)式和多樣(yang)的(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片(pian)參數選擇,確保定(ding)制(zhi)化(hua)、高(gao)附(fu)加值、降低(di)(di)功(gong)率(lv)損耗的(de)(de)(de)硅(gui)(gui)片(pian)解決方(fang)案。
功率 MOSFET、IGBT、二極管、CMOS、BiCMOS 和雙極晶體管都受益于專門為其需求量身定制的硅片。
Okmetic 的(de)低電(dian)阻(zu)(zu)率硅片被廣泛應(ying)用于多(duo)種器件(jian),譬如功(gong)率 MOSFET 和低壓功(gong)率 MOSFET,以(yi)及功(gong)率肖特基二極管、雙極晶體(ti)管、整流器和晶閘管。我們(men)為功(gong)率器件(jian)優化的(de)中等電(dian)阻(zu)(zu)率硅片用于 IGBT 和 CMOS、BiCMOS 等工藝。
最低電阻率低至0.001歐姆-厘米
Okmetic 的150至200毫(hao)米(mi)的中低(di)(di)電(dian)阻率(lv)(lv)硅片(pian)產(chan)品豐富,可(ke)滿(man)足功率(lv)(lv)半(ban)導體的需求。硅片(pian)參數可(ke)以根據客戶需求靈活調整,最低(di)(di)電(dian)阻率(lv)(lv)可(ke)低(di)(di)至0.001歐(ou)姆(mu)-厘米(mi)。摻(chan)雜(za)劑選擇(ze)包(bao)含磷、砷和硼。晶(jing)向選擇(ze)包(bao)括 <100>、<110> 或 <111>。硅片(pian)厚度范(fan)圍從380至 >1,150 微米(mi),背面處理(li)方式選擇(ze)有蝕刻、Polyback、LTO 或拋光。
我們的(de)(de)(de)低電阻(zu)率硅片,特(te)別是摻磷的(de)(de)(de)硅片產品(pin),讓客(ke)戶能夠制造(zao)出金(jin)屬雜質含量極低的(de)(de)(de)無失配外延層,從而提高(gao)器件性能。
A-MCz®的長晶方式有利于 IGBT
相比使用區熔法(fa)(FZ)制(zhi)備(bei)的(de)(de)硅(gui)片,使用我(wo)(wo)們(men)(men)先(xian)進的(de)(de) MCz(A-MCz®)長晶法(fa)制(zhi)造的(de)(de)中等電(dian)阻率硅(gui)片表現出優(you)異的(de)(de)性(xing)能和成本效益。我(wo)(wo)們(men)(men)的(de)(de) A-MCz®硅(gui)片還提(ti)高了(le)客戶(hu)工藝(yi)的(de)(de)產量(liang)(liang),主要原因是(shi)它們(men)(men)增(zeng)強的(de)(de)晶格提(ti)高了(le)穩健性(xing)、減少了(le)位錯和破損,而且它們(men)(men)的(de)(de)體內微缺陷水(shui)平極低。通過(guo)調整(zheng)氧含量(liang)(liang)的(de)(de)相應水(shui)平,也考慮了(le)供(gong)體生成效應和沉淀情況。
超低氧含量 A-MCz®長晶法的優勢:
· 與區熔法(FZ)相比,更好的防滑性和抗輻射硬度;
· 非常低的氧含量水平;
· 無體內微缺陷;
· 非常適合高壓應用(如 IGBT)
功率器件的先進襯底:SOI 硅片和硅上氮化鎵硅片
2015年以(yi)來(lai),Okmetic 一直在為電源(yuan)(yuan)管理器(qi)件提供。它(ta)們(men)可以(yi)為需要溝(gou)槽電介質隔離的功率(lv)器(qi)件增加價值。這些器(qi)件包(bao)括柵極驅動(dong)器(qi)(如(ru)功率(lv) MOSFET 等(deng))以(yi)及嵌入(ru)式技術(智能化電源(yuan)(yuan) / BCD 和橫向 HV 器(qi)件等(deng))。
Okmetic 始(shi)終處于(yu)開(kai)發硅(gui)片(pian)的(de)最前(qian)沿,滿足(zu)功率器件制造商遇到的(de)氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)外延工(gong)藝的(de)嚴(yan)苛需(xu)求。各種硅(gui)片(pian)設(she)計的(de)特性決定(ding)了(le)硅(gui)片(pian)在(zai)氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)外延工(gong)藝中(zhong)的(de)表(biao)現,長年的(de)經驗讓我(wo)們(men)能夠設(she)計出最能承受(shou)嚴(yan)苛外延工(gong)藝條件的(de)硅(gui)片(pian)。相比高(gao)壓器件中(zhong)的(de) GaN-on-SiC(碳化(hua)(hua)硅(gui)基氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)),硅(gui)上氮(dan)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)襯(chen)底(di)(di)變得越來越受(shou)歡迎的(de)主要原因是它們(men)更具(ju)成本效益。硅(gui)片(pian)相比碳化(hua)(hua)硅(gui)襯(chen)底(di)(di)的(de)優勢(shi)在(zai)于(yu)它們(men)很(hen)容易做(zuo)到200毫米直(zhi)徑(jing)。Okmetic 還開(kai)發了(le)。
利用 SOI 硅片(pian)(pian)作為硅上(shang)(shang)氮化鎵襯底(di),我們可以(yi)進行(xing)進一步的開發,譬如(ru)構建(jian)新的 HEMT 器(qi)(qi)件(高電子遷移率(lv)晶體管)。根據 X 射線衍射,生(sheng)長在 SOI 硅片(pian)(pian)上(shang)(shang)的氮化鎵層(ceng)比(bi)生(sheng)長在標準硅襯底(di)上(shang)(shang)的氮化鎵層(ceng)表現(xian)出(chu)更(geng)低的應力和更(geng)高的結晶質量。SOI 硅片(pian)(pian)器(qi)(qi)件層(ceng)下的掩埋氧化物減少了寄生(sheng)感應,當與溝槽隔離相結合(he)時,可以(yi)實現(xian)電源(yuan)和邏輯部分的單片(pian)(pian)集成,從(cong)而縮(suo)小硅片(pian)(pian)尺(chi)寸。
功率器件用襯底硅片
功率器件用襯底硅片
功率器件用單拋片和雙拋片的規格
長晶方式 |
Cz, MCz, A-MCz® |
直徑 |
150 mm, 200 mm |
晶向 |
<100>, <110>, <111> |
N 型摻雜劑 |
砷、磷 |
P 型摻雜劑 |
硼 |
電阻率 |
低至0.001歐姆-厘米 |
單拋片厚度 |
150毫米硅片的厚度為400 – 1150微米;200毫米硅片的厚度為550 – 1150微米 |
雙拋片厚度 |
150毫米硅片的厚度為380 – 1150微米;200毫米硅片的厚度為380 – 1150微米* |
單拋片背面處理 |
蝕刻、Polyback、LTO |
功率半導體的 SOI 硅片規格
長晶方式 |
Cz, MCz, A-MCz® |
直徑 |
150 mm, 200 mm |
晶向 |
<100>, <110>, <111> |
N 型摻雜劑 |
磷 |
P 型摻雜劑 |
硼 |
電阻率 |
低至0.001歐姆-厘米 |
器件層厚度 |
從1微米到 >200微米 |
埋氧層厚度 |
0.3 – 4微米,通常在0.5微米至2微米之間 |
下層硅片厚度 |
300微米到950微米,200毫米硅片的底層硅片厚度通常為725微米,150毫米硅片的底層硅片厚度通常為675微米 |
背面 |
拋光或刻蝕 |
TTV |
<1 微米 |
晶向精度 |
±0.2° (要求更高的器件的精度為 ±0.1°) |