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詳解半導體失效分析流程方法總結返回列表

1 OM 顯微鏡觀測,外觀分析2 C-SAM(超聲波掃描顯微鏡)(1)材料內部的晶格結構,雜質顆粒,夾雜物,沉淀物,(2) 內部裂紋。(3)分層缺陷。(4

1.OM 顯微鏡觀測,外觀分析

2.C-SAM(超聲(sheng)波(bo)掃(sao)描(miao)顯微鏡)

(1)材(cai)料(liao)內部(bu)的晶格結構,雜質顆粒(li),夾雜物,沉淀物,

(2) 內部裂紋。(3)分層缺陷(xian)。(4)空洞,氣泡(pao),空隙等。

3. X-Ray 檢(jian)測IC封(feng)裝中(zhong)的(de)各種缺(que)陷(xian)(xian)如層剝(bo)離、爆(bao)裂、空洞以及(ji)打(da)線(xian)的(de)完整性,PCB制程中(zhong)可能存在的(de)缺(que)陷(xian)(xian)如對齊(qi)不良(liang)或橋接(jie),開(kai)路、短(duan)路或不正常(chang)連接(jie)的(de)缺(que)陷(xian)(xian),封(feng)裝中(zhong)的(de)錫球完整性。(這幾種是芯片(pian)發生失效后首(shou)先使用的(de)非(fei)破壞性分析手段)

4.SEM掃(sao)描電鏡/EDX能(neng)量彌散X光(guang)儀(yi)(材(cai)料結構分(fen)析(xi)/缺陷(xian)觀察,元(yuan)(yuan)素組成(cheng)常規微區(qu)分(fen)析(xi),精確(que)測量元(yuan)(yuan)器件(jian)尺寸)

5.取die,開封 使用(yong)激(ji)光開封機(ji)和(he)(he)自(zi)動酸開封機(ji)將被(bei)檢樣(yang)品(不適用(yong)于陶瓷和(he)(he)金屬(shu)封裝(zhuang))的(de)封裝(zhuang)外(wai)殼(ke)部分去除,使被(bei)檢樣(yang)品內部結構暴露。

6. EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘(you)發阻(zu)抗(kang)值(zhi)變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流(liu)路徑(jing)分析(xi)手(shou)段,尋(xun)找發熱點,LC要借助探(tan)針臺,示波器)

7.切(qie)割制樣:使用切(qie)割制樣模塊將(jiang)小樣品進(jin)行固(gu)定,以方便后續實(shi)驗進(jin)行

8.去(qu)層(ceng):使用等離子刻蝕機(ji)(RIE)去(qu)除(chu)芯片內部的鈍(dun)化層(ceng),使被(bei)檢樣(yang)品下層(ceng)金(jin)屬(shu)暴露,如需去(qu)除(chu)金(jin)屬(shu)層(ceng)觀察(cha)下層(ceng)結構,可(ke)利用研磨機(ji)進行研磨去(qu)層(ceng)。

9. FIB做一些電路(lu)修改,切(qie)點觀察

10. Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測(ce)試(shi)。

11. ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測(ce)試(有些(xie)(xie)客戶(hu)(hu)是在芯(xin)片流入客戶(hu)(hu)端之(zhi)前就進(jin)行這(zhe)兩(liang)項可(ke)靠度測(ce)試,有些(xie)(xie)客戶(hu)(hu)是失效發生后才想到要篩取(qu)良(liang)片送(song)驗)這(zhe)些(xie)(xie)已經提到了多數常用手段。

除了常用手段(duan)之外還有其他一些(xie)(xie)失(shi)效分析手段(duan),原子(zi)(zi)力顯(xian)微(wei)鏡AFM ,二次離子(zi)(zi)質譜(pu) SIMS,飛行時間(jian)質譜(pu)TOF - SIMS ,透射(she)電鏡TEM , 場(chang)發射(she)電鏡,場(chang)發射(she)掃(sao)描(miao)俄(e)歇探(tan)針(zhen), X 光電子(zi)(zi)能譜(pu)XPS ,L-I-V測試系(xi)統,能量(liang)損失(shi) X 光微(wei)區(qu)分析系(xi)統等很(hen)多手段(duan),不過(guo)這些(xie)(xie)項目不是很(hen)常用。

芯片分析

失效分析步驟:

1.一(yi)般(ban)先做外觀檢(jian)查,看(kan)看(kan)有(you)沒有(you)crack,burnt mark 什么(me)的,拍(pai)照(zhao);

2.非破壞性分析:主(zhu)要是xray--看(kan)內部結構,超聲波掃描顯微(wei)

鏡(C-SAM)--看有沒delaminaTIon,等等;

3.電測:主要工(gong)具,IV,萬用表(biao),示波器,sony tek370b;

4.破壞(huai)性分析(xi):機械(xie)decap,化學 decap 芯片開封機。

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