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TS2000-HP Probe System
產品概要:
MPI的(de)TS2000-HP半自動化探針臺測(ce)試系統可(ke)(ke)提(ti)供8英(ying)寸(cun)及(ji)以下晶(jing)圓器(qi)件的(de)高功率測(ce)量,先進的(de)ShielDEnvironment™可(ke)(ke)提(ti)供低噪聲和屏蔽的(de)測(ce)試環境。
基本信息:
安全系統
采用可互鎖(suo)的安全光(guang)幕,可通過互鎖(suo)系(xi)統關閉儀器,保(bao)護(hu)用戶(hu)免受意外高壓沖擊,該系(xi)統具(ju)有后門,并(bing)由互鎖(suo)保(bao)護(hu),以提供簡便的初始(shi)安全測量(liang)設置。
ShielDEnvironment™
MPI ShielDEnvironment™是(shi)一個高性能的微(wei)暗(an)室屏(ping)蔽系統(tong),可為(wei)超(chao)低噪聲、低電容(rong)測(ce)量提(ti)供出色的EMI和(he)不透光的屏(ping)蔽測(ce)試環境。為(wei)了防止卡盤和(he)壓盤之(zhi)間產生電弧,TS2000-HP卡盤專門設計了ArcShield™。
高壓探針(HVP)
低泄漏探頭專(zhuan)門設計,可(ke)(ke)承(cheng)受高(gao)達10kV(同軸(zhou))和3kV(三軸(zhou))的高(gao)壓(ya)。可(ke)(ke)選擇(ze)多種連接器選項,如Keysight Triax / UHV,Keithley Triax / UHV,SHV或Banana等(deng)。
大電流探針(HCP)
專為用于高(gao)(gao)達(da)200A(脈沖)的大(da)電(dian)流(liu)晶片(pian)測量而設計的高(gao)(gao)性能探針。MPI多指大(da)電(dian)流(liu)探頭采用單片(pian)結構,可有(you)效處理(li)大(da)電(dian)流(liu)并提(ti)供(gong)低接觸電(dian)阻(zu)。
高功率測試系統
該測(ce)試系統提供了一個一體化(hua)的解決(jue)方案,用于(yu)表征2極(ji)和(he)(he)3極(ji)功率器(qi)件,如(ru)場效應(FET)、雙(shuang)極(ji)結(BJTs)晶體管、二極(ji)管、電(dian)容(rong)器(qi)(高(gao)達3 kV和(he)(he)100 A)。只要插(cha)入一個DUT,就可以(yi)(yi)(yi)測(ce)量斷(duan)開狀態和(he)(he)接(jie)通狀態的所有相關參數以(yi)(yi)(yi)及特(te)性電(dian)容(rong)(Ciss、Coss Crss)。IV特(te)性可以(yi)(yi)(yi)在(zai)脈沖(chong)模(mo)式(shi)下進行,也可以(yi)(yi)(yi)在(zai)直流模(mo)式(shi)下進行。這樣可以(yi)(yi)(yi)提高(gao)效率并防止任(ren)何重新布線錯誤(wu)。
超快動態RDS(on)
超快速動態RDS(on)測(ce)試是(shi)被設(she)計用來表征GaN晶體管的(de)特性的(de)。電(dian)力電(dian)子學(xue)的(de)一個關鍵要(yao)求是(shi)在(zai)(zai)從高(gao)(gao)壓(ya)離態切(qie)換到(dao)低(di)壓(ya)導(dao)通狀態后立(li)即獲得非常(chang)低(di)的(de)導(dao)通電(dian)阻(RON)。超快動態RDS(on)測(ce)試能夠在(zai)(zai)關閉和打(da)開狀態之間切(qie)換后立(li)即測(ce)量RDS(on)。第(di)一個RDS(on)值在(zai)(zai)大約1 us后生成。該系(xi)統是(shi)為高(gao)(gao)達100A(脈沖電(dian)流)或(huo)高(gao)(gao)達1kV電(dian)壓(ya)而設(she)計的(de)。由于探(tan)針的(de)特殊設(she)計,可(ke)以(yi)測(ce)量更多參數(shu)(泄漏或(huo)者其他(ta))。
自動化晶圓裝載系統
自動化的(de)單晶片(pian)裝(zhuang)載(zai)機和安全(quan)測試管理提供了(le)獨(du)特的(de)功能,可(ke)以在任何溫(wen)度(du)下裝(zhuang)載(zai)/卸載(zai)晶片(pian)。裝(zhuang)載(zai)或(huo)(huo)卸載(zai)晶片(pian)不再需要(yao)冷卻或(huo)(huo)加熱到環境(jing)溫(wen)度(du)。這樣可(ke)以節省大量的(de)停(ting)機時間,并顯(xian)著提高MPI測試系統的(de)整(zheng)體效率(lv),同時,管理員方(fang)便(bian)的(de)登(deng)錄過程(cheng)有利于產品的(de)設(she)置和保護。
可選的防電弧液體托盤
專門設(she)計的防電弧液體(ti)(ti)托盤,只需放(fang)(fang)在(zai)(zai)大功率卡盤表面(mian),即可用(yong)于抑制電弧。晶圓可以(yi)安全地放(fang)(fang)置在(zai)(zai)托盤內,浸沒在(zai)(zai)液體(ti)(ti)中進行無(wu)電弧高壓測試(shi)。
軟件套件SENTIO®
MPI自(zi)動(dong)(dong)工程(cheng)探針系統(tong)由獨(du)特且革命性的(de)多點觸(chu)摸操作控制SENTIO®軟件套件,簡(jian)單直觀的(de)操作節省(sheng)了大量(liang)的(de)培訓時間。“滾動(dong)(dong)”,“縮放”,“移(yi)動(dong)(dong)”命令模(mo)仿(fang)了現代智能移(yi)動(dong)(dong)設備,使每個(ge)人都可以在(zai)短短幾(ji)分鐘內(nei)成為(wei)專家(jia)。在(zai)活動(dong)(dong)應用(yong)程(cheng)序與其余APP之間的(de)切換(huan)僅(jin)需簡(jian)單的(de)手指操作即可。對(dui)于RF應用(yong)系統(tong),無需切換(huan)到(dao)另一(yi)個(ge)軟件平臺——MPI RF校準軟件程(cheng)序QAlibria®與SENTIO®完全集(ji)成在(zai)一(yi)起,遵(zun)循單一(yi)操作概念方法,易(yi)于使用(yong)。
技術優勢:
1、適(shi)合(he)至高 10kV / 600A (脈沖)的晶(jing)圓(yuan)級高功率組(zu)件量測(ce)
2、提供載片下(xia)的高功率(lv)動、靜態參數的測試(shi)
3、晶(jing)圓(yuan)載物臺表面鍍金,接觸(chu)電阻面積小(xiao);真空吸孔優化,適(shi)合裝載至薄(bo) 50 µm 的(de)薄(bo)晶(jing)圓(yuan)
4、可選配搭載(zai) Taiko 晶圓載(zai)物臺(tai)
5、提供(gong)抗電弧解決方(fang)案
6、MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽環(huan)境(jing)
7、專(zhuan)為(wei) EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽(bi)所設計的精密(mi)量(liang)測環境
8、支援飛(fei)安級低漏電值量測(ce)
9、溫度量測范圍 -60 °C to 300 °C
應用方向:
專為高電(dian)壓和大電(dian)流量測(ce)應用而設計。
TS2000-HP Probe System