多功(gong)能數字式(shi)四探針測(ce)(ce)(ce)試儀(yi)是運用四探針測(ce)(ce)(ce)量原理(li)測(ce)(ce)(ce)試電(dian)(dian)阻(zu)率(lv)/方(fang)阻(zu)的多用途綜合測(ce)(ce)(ce)量儀(yi)器(qi)(qi)。該儀(yi)器(qi)(qi)設(she)計符合GB/T1551-2009《硅(gui)單(dan)晶電(dian)(dian)阻(zu)率(lv)測(ce)(ce)(ce)定(ding)方(fang)法(fa)(fa)》、GB/T1551-1995《硅(gui)、鍺單(dan)晶電(dian)(dian)阻(zu)率(lv)測(ce)(ce)(ce)定(ding)直流兩探針法(fa)(fa)》、GB/T1552-1995《硅(gui)、鍺單(dan)晶電(dian)(dian)阻(zu)率(lv)測(ce)(ce)(ce)定(ding)直流四探針法(fa)(fa)》并參(can)考美國A.S.T.M標準。

儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺等部分組成。

主(zhu)(zhu)機主(zhu)(zhu)要由精密恒(heng)流源、高分辨率ADC、嵌入(ru)式單片機系統組成。儀器所有參數設(she)定(ding)、功能(neng)轉換(huan)全(quan)部采(cai)用數字(zi)(zi)化鍵盤(pan)輸入(ru);具有零(ling)位、滿度自校功能(neng);電壓(ya)電流全(quan)自動轉換(huan)量程;測(ce)試(shi)結果由數字(zi)(zi)表頭直接顯示(shi)。本測(ce)試(shi)儀特贈設(she)測(ce)試(shi)結果分類功能(neng)，zui大分類10類。

探頭選(xuan)配(pei)：根(gen)據不(bu)同材料(liao)特(te)性(xing)(xing)需要，探頭可(ke)有多款選(xuan)配(pei)。有高(gao)耐磨碳化(hua)鎢探針(zhen)(zhen)探頭，以測(ce)(ce)試硅類半導(dao)體(ti)、金(jin)屬、導(dao)電(dian)塑(su)料(liao)類等硬質材料(liao)的(de)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)率/方(fang)(fang)阻(zu)(zu)(zu)(zu);也有球形鍍(du)金(jin)銅合金(jin)探針(zhen)(zhen)探頭，可(ke)測(ce)(ce)柔性(xing)(xing)材料(liao)導(dao)電(dian)薄膜、金(jin)屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底(di)上(shang)導(dao)電(dian)膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dao)體(ti)材料(liao)的(de)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)率/方(fang)(fang)阻(zu)(zu)(zu)(zu)。換(huan)上(shang)四端(duan)子(zi)測(ce)(ce)試夾具，還可(ke)對電(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)器體(ti)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)、金(jin)屬導(dao)體(ti)的(de)低、中(zhong)值(zhi)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)以及開關類接觸電(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)進行測(ce)(ce)量。配(pei)專(zhuan)用探頭，也可(ke)測(ce)(ce)試電(dian)池(chi)極片等箔上(shang)涂層電(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)率方(fang)(fang)阻(zu)(zu)(zu)(zu)。

測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)臺(tai)(tai)(tai)(tai)選(xuan)(xuan)配(pei)(pei)：一般四探(tan)針法測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)電(dian)(dian)阻率(lv)/方阻配(pei)(pei)SZT-A或(huo)SZT-B或(huo)SZT-C或(huo)SZT-F型(xing)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)臺(tai)(tai)(tai)(tai)。二探(tan)針法測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)電(dian)(dian)阻率(lv)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)選(xuan)(xuan)SZT-K型(xing)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)臺(tai)(tai)(tai)(tai)，也可(ke)選(xuan)(xuan)配(pei)(pei)SZT-D型(xing)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)臺(tai)(tai)(tai)(tai)以(yi)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)半導(dao)體粉(fen)末電(dian)(dian)阻率(lv)，選(xuan)(xuan)配(pei)(pei)SZT-G型(xing)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)臺(tai)(tai)(tai)(tai)測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)橡(xiang)塑(su)材料電(dian)(dian)阻率(lv)。詳見《四探(tan)針儀器、探(tan)頭和測(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)臺(tai)(tai)(tai)(tai)的特點與選(xuan)(xuan)型(xing)參(can)考(kao)》

儀器具有測量精(jing)度高、靈(ling)敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等(deng)特點(dian)。

儀器(qi)適用于半導體材料廠(chang)器(qi)件廠(chang)、科(ke)研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電(dian)性能的測試。

基本技術參數

1.測量(liang)范圍、分辨率(括號內為可向下拓展1個數量(liang)級)

電(dian)阻：10.0×10-6～200.0×103Ω,分辨率1.0×10-6～0.1×103Ω

(1.0×10-6～20.00×103Ω,分辨率0.1×10-6～0.01×103Ω)

電阻率：10.0×10-6～200.0×103Ω-cm分辨(bian)率1.0×10-6～0.1×103Ω-cm

(1.0×10-6～20.00×103Ω-cm分辨率0.1×10-6～0.01×103Ω-cm)

方塊電(dian)阻：50.0×10-6～1.0×106Ω/□分辨率5.0×10-6～0.5×103Ω/□

(5.0×10-6～100.0×103Ω/□分辨率(lv)0.5×10-6～0.1×103Ω/□)

2.材料尺寸(由(you)選配測(ce)試臺和測(ce)試方式決定)

直徑：SZT-A圓測試臺直接(jie)測試方式(shi)Φ15～130mm，手(shou)持方式(shi)不限

SZT-B/C/F方(fang)測(ce)試臺直(zhi)接測(ce)試方(fang)式180mm×180mm，手(shou)持(chi)方(fang)式不限.

長(高)度：測試(shi)臺直接測試(shi)方式H≤100mm,手持方式不限.

測量(liang)方位:軸向、徑向均可

3.量(liang)程(cheng)劃分(fen)及誤差等(deng)級(ji)

4.工(gong)作(zuo)電源(yuan)：220V±10%,f=50Hz±4%,PW≤5W

5.外形尺寸：245mm(長)×220mm(寬)×95mm(高(gao))

凈重(zhong)：≤1.5～2.0kg

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